台积电：2nm突破 晶圆价格或超3万美元,涨超,工艺,晶体管20241008-凯发k8凯发

【台积电(tsm.us)涨超 1.7%，报 184.3 美(mei)元】消息称，台积电在 2nm 制程节点获重大突破，将首(shou)用 gate-all-around fets 晶体管技术。 相(xiang)较当前(qian) n3e 工艺，n2 工艺在相(xiang)同功率下(xia)性能可提升 10%至 15%，相(xiang)同频率下(xia)功耗能降低 25%至 30%。 台积电每片 300mm 的 2nm 晶圆价格或超 3 万美(mei)元，高于此前(qian)预(yu)期的 2.5 万美(mei)元，目前(qian) 3nm 晶圆约 1.85 万至 2 万美(mei)元，4/5nm 晶圆在 1.5 到 1.6 万美(mei)元之间(jian)。